ФОРМИРОВАНИЕ СОСТАВА В АНИОННОЙ ПОДРЕШЕТКЕ ТВЕРДОГО РАСТВОРА InAsxSb1−x ПРИ МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВОЙ ЭПИТАКСИИ НА ВИЦИНАЛЬНОЙ ПОВЕРХНОСТИ (001)

Обложка

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

Аннотация

Экспериментально исследована зависимость доли мышьяка в слоях InAsxSb1−x, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на вицинальной поверхности (001) с использованием потоков молекул As2/As4 и Sb4. Экспериментальные данные описаны с помощью кинетической модели, основанной на положениях и подходах, предложенных и апробированных ранее применительно к GaPxAs1−x. В настоящей модели учтены особенности взаимодействия молекул As2/As4 и Sb4 с поверхностью InAsxSb1−x(001). Установлено, что механизм взаимодействия молекул As2 c InAsxSb1−x(001) зависит от поверхностной сверхструктуры.

Об авторах

М. А. Путято

Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук

Новосибирск, Россия

Е. А. Емельянов

Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук

Email: e2a@isp.nsc.ru
Новосибирск, Россия

М. О. Петрушков

Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук

Новосибирск, Россия

Д. Б. Богомолов

Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук

Новосибирск, Россия

А. В. Васев

Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук

Новосибирск, Россия

Б. Р. Cемягин

Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук

Новосибирск, Россия

В. В. Преображенский

Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук

Новосибирск, Россия

Список литературы

  1. A. Bosacchi, S. Franchi, P. Allegri et al., J. Cryst. Growth 201/202, 858 (1999), doi: 10.1016/s0022-0248(98)01473-0.
  2. W. L. Sarney and S. P. Svensson, J. Vac. Sci. Technol. B 33, 060604 (2015), doi: 10.1116/1.4935892.
  3. T. Zederbauer, A. M. Andrews, D. MacFarland et al., APL Mater. 5, 035501 (2017), doi: 10.1063/1.4973216.
  4. J. Klem, D. Huang, H. Morkoc et al., J. Appl. Phys. Lett. 50, 1364 (1987), doi: 10.1063/1.97857.
  5. X. Sun, S. Wang, J. S. Hsu et al., IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 8, 817 (2002), doi: 10.1109/JSTQE.2002.800848.
  6. K. Mochizuki and T. Nishinaga, Jap. J. Appl. Phys. 27, 1585 (1988), doi: 10.1143/JJAP.27.1585.
  7. Е. А. Емельянов, А. В. Васев, Б. Р. Семягин и др., ФТП 53, 512 (2019), doi: 10.21883/FTP.2019.04.47451.8981.
  8. M. Losurdo, P. Capezzuto, G. Bruno et al., J. Appl. Phys. 100, 013531 (2006), doi: 10.1063/1.2216049.
  9. Е. А. Емельянов, Д. Ф. Феклин, А. В. Васев и др., Автометрия 47, 43 (2011).
  10. J. R. Arthur, Surf. Sci. 43, 449 (1974), doi: 10.1116/1.1317818.
  11. C. T. Foxon and B. A. Joyce, Surf. Sci. 64, 293 (1977), doi: 10.1016/0039-6028(77)90273-4.
  12. K. Ploog, Ann. Rev. Mater. Sci. 11, 171 (1981), doi: 10.1146/annurev.ms.11.080181.001131.
  13. J. M. Van Hove and P.J. Cohen, J. Vac. Sci. Technol. 20, 726 (1982), doi: 10.1063/1.96017.
  14. C. E. C. Wood, C. R. Stanley, G. W. Wicks, and M. B. Esi, J. Appl. Phys. 54, 1868 (1983), doi: 10.1063/1.332239.
  15. Y. H. Wang, W. C. Liu, C. Y. Chang, and S. A. Liao, J. Vac. Sci. Technol. B 4(1), 30 (1986), doi: 10.1116/1.583319.
  16. T. Nomura, H. Ogasawara, M. Miyao, and M. Hagino, J. Cryst. Growth 111, 61 (1991), doi: 10.1016/0022-0248(91)90947-4.
  17. S. Yu. Karpov and M. A. Maiorov, Surf. Sci. 393, 108 (1997), doi: 10.1016/S0039-6028(97)00563-3.
  18. E. S. Tok, J. H. Neave, F. E. Allegretti, J. Zhang, T. S. Jones, and B. A. Joyce, Surf. Sci. 371, 277 (1997), doi: 10.1016/S0039-6028(96)01085-0.
  19. Ю. Г. Галицын, И. И. Мараховка, С. П. Мощенко, В. Г. Мансуров, Письма в ЖТФ 7, 31 (1998).
  20. Е. А. Емельянов, М. А. Путято, Б. Р. Семягин, Д. Ф. Феклин, В. В. Преображенский, ФТП 49, 163 (2015), doi: 10.1016/S0039-6028(96)01085-0.
  21. R. Heckingbottom, G. J. Davies, and K. A. Prior, Surf. Sci. 132, 375 (1983), doi: 10.1016/0039-6028(83)90548-4.
  22. R. Heckingbottom, J. Vac. Sci. Technol. B 3, 572 (1985), doi: 10.1116/1.583182.
  23. H. Seki, A. Koukitu, J. Cryst. Growth. 78, 342 (1986), doi: 10.1016/0022-0248(86)90070-9.
  24. П. С. Копьев, Н. Н. Леденцов, ФТП 22, 1729 (1988).
  25. S. V. Ivanov P. D. Altukhov, T. S. Argunova et al., Semicond. Sci. Technol. 8, 347 (1993).
  26. А. Ю. Егоров, А. Р. Ковш, А. Е. Жуков, В. М. Устинов, П. С. Копьев, ФТП 31, 1153 (1997), doi: 10.1134/1.1187033.
  27. A. Y. Egorov, A. R. Kovsh, V. M. Ustinov et al., J. Gryst. Growth. 188, 69 (1998), doi: 10.1134/1.1187033.
  28. М. А. Путято, Е. А. Емельянов, М. О. Петрушков и др., ЖЭТФ 165, 51 (2024), doi: 10.31857/S0044451024010061.
  29. N. Jones, The Atomic Structure of the Indium Antimonide (001) Surface: The Degree of Doctor of Philosophy at the University of Leicester (1998).

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML
Скачать

© Российская академия наук, 2025