BISTABIL'NOST' V SLOE KhIRAL'NOGO ZhIDKOGO KRISTALLA S OTRITsATEL'NOY DIELEKTRIChESKOY ANIZOTROPIEY

Capa

Citar

Texto integral

Acesso aberto Acesso aberto
Acesso é fechado Acesso está concedido
Acesso é fechado Somente assinantes

Resumo

Исследован ориентационный переход в слое хирального жидкого кристалла (ХЖК) с отрицательной диэлектрической анизотропией в планарном электрическом поле, перпендикулярном оси спирали. Под действием электрического поля закрученное 2π-состояние переходит в топологически эквивалентное раскрученное 0-состояние. Возможен и обратный переход из 0-состояния в исходное 2π-состояние, который возникает благодаря флексоэлектрическому эффекту. Отличительной особенностью данного типа бистабильного переключения является отсутствие взаимодействия с обратными гидродинамическими потоками, что было необходимым условием в обнаруженных ранее эффектах бистабильности. В работе представлены результаты численного моделирования и эксперимента. Обсуждаются оптические текстуры и время жизни раскрученного 0-состояния в слоях ХЖК различной толщины, а также особенности механизма бистабильного переключения.

Sobre autores

I. Simdyankin

Институт кристаллографии им. А. В. Шубникова, Курчатовский комплекс кристаллографии и фотоники, НИЦ «Курчатовский институт»

Москва, Россия

A. Geyvandov

Институт кристаллографии им. А. В. Шубникова, Курчатовский комплекс кристаллографии и фотоники, НИЦ «Курчатовский институт»

Email: ageivandov@yandex.ru
Москва, Россия

S. Palto

Институт кристаллографии им. А. В. Шубникова, Курчатовский комплекс кристаллографии и фотоники, НИЦ «Курчатовский институт»

Москва, Россия

Bibliografia

  1. J.C. Jones, Handbook of Optoelectronics, CRC Press, USA (2017).
  2. J. H. Kim, M. Yoneya, and H. Yokoyama, Nature 420, 159 (2002).
  3. П. В. Долганов, К. Д. Бакланова, В. К. Долганов, ЖЭТФ 157, 936 (2020).
  4. S. P. Palto, D. O. Rybakov, B. A. Umanskii et al., Crystals 13, 10 (2022).
  5. C. J. Gerritsma, J. de Klerk, and P. van Zanten, Sol. St. Commun. 17, 1077 (1975).
  6. C. Z. van Doorn, J. Appl. Phys. 46, 3738 (1975).
  7. D.W. Berreman and W. R. Heffner, Appl. Phys. Lett. 37, 109 (1980).
  8. С. П. Палто, М. И. Барник, ЖЭТФ 127, 220 (2005).
  9. С. П. Палто, М. И. Барник, ЖЭТФ 129, 1132 (2006).
  10. G. P. Bryan-Brown et al., Proc. SID Digest of Technical Papers 28, 37 (1997).
  11. C. Joubert et al., SID Symposium Digest of Technical Papers 33, 30 (2002).
  12. И. В. Симдянкин, А. Р. Гейвандов, С. П. Палто, Письма в ЖЭТФ 120, 690 (2024).
  13. I. V. Simdyankin, A. R. Geivandov, I. V. Kasyanova et al., Crystals 14, 891 (2024).

Arquivos suplementares

Arquivos suplementares
Ação
1. JATS XML
Baixar

Declaração de direitos autorais © Russian Academy of Sciences, 2025