Ядерно-сканирующий микрозонд в исследовании эпислоев карбида кремния

Обложка

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Доступ платный или только для подписчиков

Аннотация

Обсуждаются результаты исследования поверхностей образцов гомоэпитаксиальных слоев 4H-SiC методом ядерно-сканирующего микрозонда в режиме обратного резерфордовского рассеяния. Анализ состояния поверхностей образцов, и режимов синтеза показал, что увеличение содержания кремния в верхних слоях некоторых образцов предшествует формированию высокодефектных слоев 4H-SiC.

Об авторах

М. Э. Бузоверя

Федеральное государственное унитарное предприятие Российский федеральный ядерный центр – Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики

Email: dismos51@gmail.com
Россия, Саров

И. А. Карпов

Федеральное государственное унитарное предприятие Российский федеральный ядерный центр – Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики

Email: dismos51@gmail.com
Россия, Саров

А. Ю. Архипов

Федеральное государственное унитарное предприятие Российский федеральный ядерный центр – Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики

Email: dismos51@gmail.com
Россия, Саров

Д. А. Скворцов

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования Национальный исследовательский Мордовский государственный университет имени Н. П. Огарёва

Автор, ответственный за переписку.
Email: dismos51@gmail.com

Научно-исследовательская лаборатория «Синтез и обработка монокристаллов карбида кремния»

Россия, Саранск

В. А. Неверов

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования Национальный исследовательский Мордовский государственный университет имени Н. П. Огарёва

Email: dismos51@gmail.com

Научно-исследовательская лаборатория «Синтез и обработка монокристаллов карбида кремния»

Россия, Саранск

Б. Ф. Мамин

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования Национальный исследовательский Мордовский государственный университет имени Н. П. Огарёва

Email: dismos51@gmail.com

Научно-исследовательская лаборатория «Синтез и обработка монокристаллов карбида кремния»

Россия, Саранск

Список литературы

  1. Лучинин В.В., Таиров Ю.М. // Изв. вузов. Электроника. 2011. № 6(92). С. 3.
  2. Афанасьев А.В., Ильин В.А., Лучинин В.В., Решанов С.А. // Изв. вузов. Электроника. 2020. Т. 25. № 6. С. 483.
  3. Авров Д.Д., Лебедев А.О., Таиров Ю.М. // Изв. вузов. Электроника. 2015. Т. 20. № 3. С. 225.
  4. Давыдов С.Ю., Лебедев А.А., Савкина Н.С., Волкова А.А. // ЖТФ. 2005. Т. 75. № 4. С. 114; Davydov S.Yu., Lebedev A.A., Savkina N.S., Volkova A.A. // Tech. Phys. 2005. V. 50. No. 4. P. 503.
  5. Schöler M., Schuh P., Steiner J., Wellmann P.J. // Mat. Sci. Forum. 2019. V. 963. P. 157.
  6. Давыдов С.Ю., Лебедев А.А., Савкина Н.С. и др. // ФТП. 2004. Т. 38. № 2. С. 153.
  7. Гаврилов Г.Е., Бузоверя М.Э., Карпов И.А. и др. // Изв. РАН. Сер. физ. 2022. Т. 86. № 8. С. 1155; Gavrilov G.E., Buzoverya M.E., Karpov I.A. et al. // Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. 2022. V. 86. No. 8. P. 956.
  8. Lilov S.K. // Mater. Sci. Engin. B. 1993. V. 21. P. 65.
  9. Vasiliauskas R., Marinova M., Hens P. et al. // Cryst. Growth Des. 2012. V.12. P. 197.
  10. Быков Ю.О., Лебедев А.О., Щеглов М.П. // Неорг. матер. 2020. T. 56. № 9. C. 979.

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML

© Российская академия наук, 2024