TEORIYa VNUTRIZONNYKh OPTIChESKIKh PEREKhODOV V NANOKRISTALLAKh KREMNIYa S ATOMOM VISMUTA
- Authors: Maksimova G.M.1, Fomichev C.A.1, Burdov V.A.1
-
Affiliations:
- Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
- Issue: Vol 167, No 3 (2025)
- Pages: 353-361
- Section: SOLIDS AND LIQUIDS
- URL: https://bioethicsjournal.ru/0044-4510/article/view/683859
- DOI: https://doi.org/10.31857/S004445102503006X
- ID: 683859
Cite item
Abstract
Обсуждается модель эффективной световой эмиссии видимого диапазона в слаболегированных висмутом нанокристаллах кремния (один донор на нанокристалл), осуществляемая за счет внутризонных электронных переходов триплет–синглет. Показано, что для нанокристаллов размерами 2–3 нм имеет место сильное расщепление уровней в нижней части энергетического спектра зоны проводимости за счет короткодействующего потенциала иона Bi. Оптически активными оказываются переходы из двух нижних триплетных состояний в основное (синглетное) состояние. При этом скорость переходов может превышать 107 с−1.
About the authors
G. M. Maksimova
Нижегородский государственный университет им. Н. И. ЛобачевскогоНижний Новгород, Россия
C. A. Fomichev
Нижегородский государственный университет им. Н. И. ЛобачевскогоНижний Новгород, Россия
V. A. Burdov
Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
Email: burdov@phys.unn.ru
Нижний Новгород, Россия
References
- S. G. Pavlov, H. W. H¨ubers, J. N. Hovenier, T. O. Klaassen, D. A. Carder, P. J. Phillips, B. Redlich, H. Riemann, R. Kh. Zhukavin, and V. N. Shastin, Phys. Rev. Lett. 96, 037404 (2006).
- S. G. Pavlov, H. W. H¨ubers, U. B¨ottger, R. Kh. Zhukavin, V. N. Shastin, J. N. Hovenier, B. Redlich, N. V. Abrosimov, and H. Riemann, Appl. Phys. Lett. 92, 091111 (2008).
- S. G. Pavlov, U. B¨ottger, J. N. Hovenier, N. V. Abrosimov, H. Riemann, R. Kh. Zhukavin, V. N. Shastin, B. Redlich, A. F. G. van der Meer, and H. W. H¨ubers, Appl. Phys. Lett. 94, 171112 (2009).
- S. G. Pavlov, U. B¨ottger, R. Eichholz, N. V. Abrosimov, H. Riemann, V. N. Shastin, B. Redlich, and H. W. H¨ubers, Appl. Phys. Lett. 95, 201110 (2009).
- V. A. Belyakov, A. I. Belov, A. N. Mikhaylov, D. I. Tetelbaum, and V. A. Burdov, J. Phys.: Condens. Matter 21, 045803 (2009).
- T. C.-J. Yang, K. Nomoto, B. Puthen-Veettil, Z. Lin, L. Wu, T. Zhang, X. Jia, G. Conibeer, and I. PerezWurfl, Mater. Res. Express 4, 075004 (2017).
- K. Nomoto, T. C. -J. Yang, A. V. Ceguerra, T. Zhang, Z. Lin, A. Breen, L. Wu, B. Puthen-Veettil, X. Jia, G. Conibeer, I. Perez-Wurfl, and S. P. Ringer, J. Appl. Phys. 122, 025102 (2017).
- E. Klimesova, K. Kusova, J. Vacik, V. Holy, and I. Pelant, J. Appl. Phys. 112, 064322 (2012).
- V. A. Belyakov and V. A. Burdov, Phys. Rev. B 79, 035302 (2009).
- N. V. Derbenyova and V. A. Burdov, J. Appl. Phys. 123, 161598 (2018).
- N. V. Derbenyova, A. A. Konakov, and V. A. Burdov, J. Lumin. 233, 117904 (2021).
- V. A. Burdov and M. I. Vasilevskiy, Appl. Sci. 11, 497 (2021).
- F. Sangghaleh, I. Sychugov, Z. Yang, J. G. C. Veinot, and J. Linnros, ACS Nano 9, 7097 (2015).
- C. Delerue, M. Lannoo, G. Allan, E. Martin, I. Mihalcescu, J. C. Vial, R. Romestain, F. M¨uller, and A. Bsiesy, Phys. Rev. Lett. 75, 2228 (1995).
- C. Sevik and C. Bulutay, Phys. Rev. B 77, 125414 (2008).
- G. Allan and C. Delerue, Phys. Rev. B 66, 233303 (2002).
- W. Kohn and J. M. Luttinger, Phys. Rev. 97, 1721 (1955).
- W. Kohn and J. M. Luttinger, Phys. Rev. 98, 915 (1955).
- Z. Zhou, M. L. Steigerwald, R. A. Friesner, L. Brus, andM. S. Hybertsen, Phys. Rev. B 71, 245308 (2005).
- N. V. Derbenyova and V. A. Burdov, J. Phys. Chem. C 122, 850 (2018).
- S. Ossicini, I. Marri, M. Amato, M. Palummo, E. Canadell, and R. Rurali, Faraday Discuss. 222, 217 (2020).
- V. A. Belyakov and V. A. Burdov, Phys. Lett. A 367, 128 (2007).
- S. T. Pantelides and C. T. Sah, Phys. Rev. B 10, 621 (1974).
- В. А. Бурдов,ЖЭТФ 121, 480 (2002)
- V. A. Burdov, JETP 94, 411 (2002).
- А. А. Копылов, ФТП 16, 2141 (1982)
- A. Kopylov, Sov. Phys. Semicond. 16, 1380 (1982).
- J. L. Ivey and R. L. Mieher, Phys. Rev. B 11, 822 (1975).
- V. A. Belyakov and V. A. Burdov, Phys. Rev. B 76, 045335 (2007).
- V. A. Belyakov, V. A. Burdov, R. Lockwood, and A. Meldrum, Adv. Opt. Tech. 2008, 279502 (2008).
- R. A. Faulkner, Phys. Rev. 184, 713 (1969).
- A. K. Ramdas and S. Rodriguez, Rep. Prog. Phys. 44, 1297 (1981).
- A. J. Mayur, M. Dean Sciacca, A. K. Ramdas, and S. Rodriguez, Phys. Rev. B 48, 10893 (1993).
- U. Bockelmann and G. Bastard, Phys. Rev. B 42, 8947 (1990).
- T. Inoshita and H. Sakaki, Phys. Rev. B 46, 7260 (1992).
- R. Heitz, H. Born, F. Guffarth, O. Stier, A. Schliwa, A. Hoffmann, and D. Bimberg, Phys. Rev. B 64, 241305 (2001).
- J. Urayama, N. B. Norris, J. Singh, and P. Bhattacharya, Phys. Rev. Lett. 86, 4930 (2001).
- P. Guyot-Sionnest, B. Wehrenberg, and D. Yu, J. Chem. Phys. 123, 074709 (2005).
- A. J. Nozik, Annu. Rev. Phys. Chem. 52, 193 (2001).
- С. А. Фомичев, В. А. Бурдов, ФТП 57, 566 (2023)
- S. A. Fomichev, V. A. Burdov, Semiconductors 57, 551 (2023).
- A. Thranhardt, C. Ell, G. Khitrova, and H. M. Gibbs, Phys. Rev. B 65, 035327 (2002).
Supplementary files
